Eficiência elevada de alta qualidade comum do Mosfet NTMT090N65S3HF do poder
Number modelo:NTMT090N65S3HF
Lugar de origem:Multi-origem
Quantidade de ordem mínima:1
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Capacidade da fonte:999999
Prazo de entrega:1-7days
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
Eletrônica de poder do MOSFET de NTMT090N65S3HF
Características do produto:
• MOSFET do N-canal 900V
• 30A RDS (sobre)
• Baixa carga da porta
• Baixo Miller Capacitance
• Interruptor de alta velocidade
• Baixos Qg e Qgd
• 100% UIS testado
• RoHS complacente
Especificações:
• Configuraço: N-canal
• Tenso da Dreno-fonte (VDS): 900V
• Corrente contínua do dreno (identificaço): 30A
• Em-resistência da Dreno-fonte (RDS (sobre)): 0,0058 ohms
• Tenso da Porta-fonte (VGS): ±20V
• Carga da porta (Qg): 48nC
• Capacidade entrada (Ciss): 3.2nF
• Dissipaço de poder (paládio): 109W
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
• Estilo da caixa do transistor: TO-220AB
• No. dos pinos: 3
• Montando o tipo: Através do furo
Estado do produto | No para projetos novos | |
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 90mOhm @ 18A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 860µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±30V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2930 PF @ 400 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 272W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 4-PQFN (8x8) | |
Pacote/caso |
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Eficiência elevada de alta qualidade comum do Mosfet NTMT090N65S3HF do poder
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