Elevado desempenho do Mosfet NTMFS5C604NLT3G do poder e seguro comuns

Number modelo:NTMFS5C604NLT3G
Lugar de origem:Multi-origem
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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Lista do produto: Eletrônica de poder do MOSFET de NTMFS5C604NLT3G

 

Características do produto:


• MOSFET do N-canal
• tenso da dreno-fonte 60V
• corrente contínua do dreno 4A
• Baixa em-resistência
• Baixa tenso do ponto inicial
• Velocidade de comutaço rápida
• Aspereza melhorada
• Halogênio-livre
• RoHS complacente
• a avalancha 100% testou
• Sem chumbo

 

Aplicaço:


• Conversores de DC/DC
• Interruptor de uso geral
• Fonte de alimentaço ininterrupta
• Correço de fator de poder
• Iluminaço de circuito integrado
• Fontes de alimentaço de comutaço do modo

 

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
8900 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
3.9W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote/caso
Número baixo do produto

 

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