Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FETs de alta performance e ultra baixa tensão
Number modelo:NVMFS5C646NLWFAFT1G
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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NVMFS5C646NLWFAFT1G MOSFET Eletrônica de Potência
Descriço do produto:
O NVMFS5C646NLWFAFT1G é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET de alto desempenho projetado para fornecer eficiência e confiabilidade de energia superiores.Este MOSFET de canal N é adequado para uso em uma variedade de aplicações, incluindo converso de energia, controle de motor e condicionamento de sinal.É construído com uma porta de alta tenso integrada e um diodo de corpo integrado, permitindo seu uso em aplicações de alta potência.Com uma excelente resistência e baixa carga de gate, este dispositivo oferece eficiência de energia e confiabilidade superiores em uma ampla variedade de sistemas.
Características:
-Eletrônica de potência MOSFET de alto desempenho
-Porto de alta tenso integrado
-Díodo de corpo integrado
-Excelente on-resistência
-Baixa carga de porto
-Grande variedade de sistemas
Formulários:
-Converso de energia
-Controle motor
-Condicionamento de sinal
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,7mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33,7 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2164 pF @ 25 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 3,7W (Ta), 79W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FETs de alta performance e ultra baixa tensão
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