Mosfet transistor NVMFS5C646NLAFT1G baixa resistência alta eficiência durável
Number modelo:NVMFS5C646NLAFT1G
Lugar de origem:Multi-origem
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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MOSFET Power Electronics NVMFS5C646NLAFT1G
Descriço do produto:
O MOSFET Power Electronics NVMFS5C646NLAFT1G é um módulo eletrônico de potência MOSFET de canal N com uma tenso operacional de 20V e uma tenso máxima dreno-fonte de 30V.Este módulo apresenta uma tenso de limite de porta baixa e uma capacitncia de entrada baixa, tornando-o uma escolha ideal para aplicações de eletrônica de potência.O módulo é equipado com um diodo dreno fonte de baixa resistência integrado e pode lidar com uma classificaço de corrente contínua de 5A.
Características do produto:
• Módulo de eletrônica de potência MOSFET N-Channel
• Tenso operacional: 20V
• Tenso máxima da fonte de dreno: 30V
• Baixa Tenso Limiar do Gate
• Baixa capacitncia de entrada
• Diodo Fonte-Dreno de Baixa Resistência Integrado
• Classificaço de corrente contínua: 5A
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,7mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33,7 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2164 pF @ 25 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 3,7W (Ta), 79W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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