FDD86102 Mosfet Transistor Module Alta eficiência e confiabilidade

Number modelo:FDD86102
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FDD86102 MOSFET Eletrônica de Potência


O FDD86102 é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET projetado para fornecer converso de energia de alta eficiência.Possui baixa resistência e baixa carga de porta para entrega de energia superior.O dispositivo é construído com um pacote termicamente aprimorado de baixo perfil e é adequado para uso em uma variedade de aplicações.


Características:


• Baixa resistência de ativaço - RDS(ligado): 2,2 mOhm (máx.)

• Baixa carga de porto - Qg: 11,5 nC (máx.)

• Pacote termicamente aprimorado de baixo perfil

• Livre de halogênio e compatível com RoHS

• Adequado para converso de energia de alta eficiência

• Operaço de alta tenso - VDS: 100 V (máx.)

• Operaço de alta corrente - ID: 30 A (máx.)


Status do produto
Ativo
Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1035 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
3,1W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
Número do produto básico

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