NTTFS5116PLTAG Mosfet Transistor de alto desempenho e confiabilidade
Number modelo:NTTFS5116PLTAG
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NTTFS5116PLTAG MOSFET Eletrônica de Potência
O NTTFS5116PLTAG MOSFET Power Electronics é um dispositivo semicondutor de potência de alto desempenho projetado para uso em uma variedade de aplicações.Possui baixa resistência no estado, alta velocidade de comutaço e boas características de gerenciamento térmico.Este dispositivo é adequado para uso em uma variedade de topologias de energia, incluindo conversores buck, conversores boost, conversores de meia ponte e conversores de ponte completa.
Características:
• Baixa resistência no estado: RDS(On) = 0,091 ohms
• Alta velocidade de comutaço: tF/tR = 6,5/6,5 ns
• Capacidade de corrente de pico alto: IDSM = 11,9A
• Baixa carga de porta: Qg = 10,5 nC
• Baixa resistência térmica: RθJC = 0,71°C/W
• Pacote padro TO-220
• Sem chumbo, compatível com RoHS
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 6A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 30 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 3,2 W (Ta), 40 W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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