FDMA908PZ N Channel Enhancement Mosfet 50V 90A 20mΩ N-Channel MOSFETs
Number modelo:FDMA908PZ
Lugar de origem:Multi-origem
Quantidade de ordem mínima:1
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:999999
Prazo de entrega:1-7days
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Shenzhen China
Endereço:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
Descriço do produto: FDMA908PZ MOSFET Power Electronics
Parmetros:
• Tensões: 8V - 28V
• Pacote: TO-220
• Corrente Máxima de Drenagem Contínua: 8A
• Dissipaço Máxima de Potência: 16W
• RDS(ligado): 0,19 ohm
• Faixa de temperatura operacional: -55°C a +150°C
• Tenso limite do porto: 1,9V
• Capacitncia de entrada: 680pF
• Capacitncia de saída: 200pF
• Tempo de queda: 61ns
• Tempo de subida: 52ns
• Tenso de interrupço da fonte de dreno: 28V
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8 V, 4,5 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12,5mOhm @ 12A, 4,5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3957 pF @ 6 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,4 W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-MicroFET (2x2) | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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FDMA908PZ N Channel Enhancement Mosfet 50V 90A 20mΩ N-Channel MOSFETs
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