Circuito integrado IRF6665TRPBF Mosfet Low-RDS (On) para maior eficiência
Number modelo:IRF6665TRPBF
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
IRF6665TRPBF MOSFET Eletrônica de Potência
Baixo RDS(on) de alto desempenho para maior eficiência
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,2W (Ta), 42W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | DIRECTFET™ SH | |
Pacote / Estojo |
Descriço do produto:
O IRF6665TRPBF é um MOSFET de potência da IRF Technologies.Este MOSFET N-Channel foi projetado para lidar com até 55 volts e tem uma baixa resistência de 3,2 miliohms.A corrente máxima de dreno é de 55 amperes, enquanto a dissipaço máxima de energia é de até 740 watts.O dispositivo é embalado em um pacote TO-220AB.
Parmetros do produto:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Voltagem: 55V
- On-resistência: 3,2 miliohms
- Corrente Máxima de Dreno: 55 Amps
- Dissipaço Máxima de Potência: 740 Watts
- Pacote: TO-220AB
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Circuito integrado IRF6665TRPBF Mosfet Low-RDS (On) para maior eficiência
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