IRF840APBF Mosfet Basic Electronics para maior confiabilidade e eficiência

Number modelo:IRF840APBF
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Shenzhen China
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IRF840APBF MOSFET Eletrônica de potência de alto desempenho para maior confiabilidade e eficiência


Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±30V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1018 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo

Parmetros:


Embalagem: TO-220AB
Número de pinos: 3
Configuraço: Único
Tenso de dreno para fonte (Vdss): 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250μA
Carga do Gate (Qg) (Máx) @ Vgs: 28nC @ 10V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds: 790pF @ 25V
Potência - Máx.: 40W
Temperatura operacional: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem: Através do orifício
Polaridade: Canal N



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