MT46V16M16P-5B: M Flash Memory Chips 45 bytes da capacidade de armazenamento não temporário
Number modelo:MT46V16M16P-5B:M
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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TA46V16M16P-5B: Microplaquetas de memória Flash de M 45 bytes da capacidade de armazenamento no temporário
TA46V16M16P-5B: Microplaquetas de memória Flash de M
Descriço:
O MT46V16M16P-5B: M é um dispositivo dinmico síncrono de alta
velocidade e da baixa potência do dobro de dados da taxa (RDA) da
memória de acesso aleatório (SDRAM). É 16 um dispositivo de memória
mordido do megohm x 16 organizado como 8 bancos de 16 megohns x 8
bocados. É projetado operar-se em uma fonte 5.0V e fabricado usando
o processo rápido e da baixa potência do CMOS.
Características:
• 1.8V fonte de alimentaço do ± 0.1V
• 2.5V fonte do I/O do ± 0.1V
• 5.0V fonte de alimentaço do ± 0.2V
• 16 organizaço mordida do megohm x 16
• 8 bancos de 16 megohns x 8 bocados
• ônibus de dados de 8 bits
• Comprimento estourado programável
• Latência programável de CAS
• Programável auto-refresque
• Força programável da movimentaço da saída
• JEDEC SDRAM padro comanda
• Os dados escrevem e leem a operaço
• Tempo de acesso de alta velocidade: 5ns (minuto)
• Consumo da baixa potência
• Pacote: 64-pin TSOP II
Porque compra de nós rapidamente do >>>/com segurança/convenientemente
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comércio de componentes eletrônicos. Nosso escritório de ramos
inclui China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negócio, serviço,
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envio
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diferença do fuso horário, reserve por favor até 24 horas obter seu
correio respondido. Os produtos foram testados por alguns
dispositivos ou software, nós asseguramo-nos de que no haja nenhum
problema da qualidade.
• Nós somos cometidos ao serviço rápido, conveniente e seguro do
fornecimento do transporte ao comprador global.
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