Microplaqueta de memória Flash de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - memória do elevado desempenho para o armazenamento dos dados e do programa

Number modelo:W25Q512JVFIQ
Lugar de origem:Original
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
Endereço: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Memóriado elevado desempenhode W25Q512JVFIQ 16- microplaqueta de memória Flash de SOIC - para o armazenamento dos dados e do programa

 

 

Formato da memória
Tecnologia
FLASH - NEM
Tamanho de memória
Organizaço da memória
64M x 8
Relaço da memória
SPI - I/O do quadrilátero
Frequência de pulso de disparo
133 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
-
Tenso - fonte
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montando o tipo
Pacote/caso
Pacote do dispositivo do fornecedor
16-SOIC

 

Lista do produto:

Microplaqueta de memória Flash de W25Q512JVFIQ

Fabricante: Winbond
Pacote: 16-SOIC

 

Características:
- densidade de memória mordida 512M
- arquitetura uniforme do setor 4KBytes
- Operaço dupla/do quadrilátero SPI e do quadrilátero I/O
- Taxa de pulso de disparo do elevado desempenho
- Saída dupla, I/O duplo e I/O do quadrilátero
- 1.8V tenso de funcionamento 3.6V
- -40°C variaço da temperatura 85°C de funcionamento
- Consumo da baixa potência
- O máximo escreve uma velocidade de 25 MB/s
- Resistência: 10.000 escrevem/apagam ciclos


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Microplaqueta de memória Flash de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - memória do elevado desempenho para o armazenamento dos dados e do programa

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