Processo ferroelectric da confiança alta avançada do pacote de FM24V02 A-G Flash Memory Chips 8-SOIC
Número do modelo:FM24V02A-G
Lugar de origem:original
Quantidade de ordem mínima:1
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:999999
Prazo de entrega:1 - 3 dias
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Processo ferroelectric da confiança alta avançada do pacote de FM24V02 A-G Flash Memory Chips 8-SOIC
Tipo da memória | Permanente | |
Formato da memória | ||
Tecnologia | FRAM (RAM Ferroelectric) | |
Tamanho de memória | ||
Organizaço da memória | 32K x 8 | |
Relaço da memória | ² C DE I | |
Frequência de pulso de disparo | 3,4 megahertz | |
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - | |
Tempo de acesso | 130 ns | |
Tenso - fonte | 2V ~ 3.6V | |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | |
Montando o tipo | ||
Pacote/caso | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC |
Características
■memória de acesso aleatório 256-Kbit ferroelectric (F-RAM)
organizado logicamente como 32K o × 8
o trilho da Alto-resistência 100 do ❐ (1014) leu/escreveu
❐ retenço de 151 dados do ano (veja a retenço dos dados e
Tabela da resistência)
O ❐ NoDelay™ escreve
Processo ferroelectric da alto-confiança avançada do ❐
■Relaço de série do dois-fio rápido (I2C)
❐ até a frequência 3.4-MHz [1]
O ❐ dirige a substituiço do hardware para EEPROM de série
O ❐ apoia sincronismos do legado para 100 quilohertz e 400
quilohertz
■Identificaço do dispositivo
Identificaço do fabricante do ❐ e identificaço do produto
■Consumo da baixa potência
❐ 175 - uma corrente ativa em 100 quilohertz
❐ 150 - uma corrente do apoio
❐ 8 - uma corrente do modo de sono
■Operaço de baixa voltagem: VDD = 2,0 V a 3,6 V
■Temperatura industrial: – 40 C a +85 C
■pacote pequeno do circuito integrado do esboço de 8 pinos (SOIC)
■Limitaço das substncias perigosas (RoHS) complacentes
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