Relação periférica de série muito rápida de FM25C160 B-G Flash Memory Chips 8-SOIC
Number modelo:FM25C160B-G
Lugar de origem:original
Quantidade de ordem mínima:1
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Capacidade da fonte:999999
Prazo de entrega:1 - 3 dias
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Relaço periférica de série muito rápida do pacote de FM25C160 B-G Flash Memory Chips 8-SOIC (SPI)
Tipo da memória | Permanente | |
Formato da memória | ||
Tecnologia | FRAM (RAM Ferroelectric) | |
Tamanho de memória | ||
Organizaço da memória | 2K x 8 | |
Relaço da memória | SPI | |
Frequência de pulso de disparo | 20 megahertz | |
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - | |
Tenso - fonte | 4.5V ~ 5.5V | |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | |
Montando o tipo | ||
Pacote/caso | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC |
Características
■memória de acesso aleatório 16-Kbit ferroelectric (F-RAM)
logicamente
organizado como 2K o × 8
o trilho da Alto-resistência 100 do ❐ (1014) leu/escreveu
❐ retenço de 151 dados do ano (veja a retenço e a resistência dos
dados
na página 12)
O ❐ NoDelay™ escreve
Processo ferroelectric da alto-confiança avançada do ❐
■Relaço periférica de série muito rápida (SPI)
❐ até 20 megahertz de frequência
O ❐ dirige a substituiço do hardware para o flash de série e o
EEPROM
O ❐ apoia o modo 0 de SPI (0, 0) e o modo 3 (1, 1)
■Sofisticado escreva o esquema da proteço
A utilizaço da proteço do hardware do ❐ escreve - para proteger o
pino (WP)
Proteço de software do ❐ usando-se para escrever a instruço da
inutilizaço
Proteço do bloco do software do ❐ para 1/4, 1/2, ou a disposiço
inteira
■Consumo da baixa potência
do ❐ 250 uma corrente ativa em 1 megahertz
corrente espera do A do ❐ 4 (tipo)
■Operaço da tenso: VDD = 4,5 V a 5,5 V
■Temperatura industrial: – 40 C a +85 C
■pacote pequeno do circuito integrado do esboço de 8 pinos (SOIC)
■Limitaço das substncias perigosas (RoHS) complacentes
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