Capacidade de poder superior de alta tensão do módulo do amplificador de potência IKW50N60DTPXKSA1

Number modelo:IKW50N60DTPXKSA1
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Módulo de poderde IKW 50N60DTPXKSA 1 IGBT capacidade de poder superior de alta tenso

 

 

Módulo de poder de IKW50N60DTPXKSA1 IGBT

 

Descriço do produto:

 

O módulo de poder de IKW50N60DTPXKSA1 IGBT é um de capacidade elevada, de pequenas perdas, o transistor bipolar da isolar-porta que fornece o desempenho superior em aplicações de comutaço alto-atuais. Caracteriza um circuito de proteço integrado para a sobrecarga e circunstncias de temperatura excessiva, e uma baixa tenso de saturaço para a eficiência melhorada. O módulo igualmente caracteriza uma variaço da temperatura de funcionamento larga e uma capacidade de comutaço de alta frequência.

 

Características:

 

• De pequenas perdas, transistor bipolar da isolar-porta

• Circuito de proteço integrado para a sobrecarga e circunstncias de temperatura excessiva

• Baixa tenso de saturaço para a eficiência melhorada

• Variaço da temperatura de funcionamento larga

• Capacidade de comutaço de alta frequência

• Avaliaço atual máxima: 50A

• Tenso de diviso máxima: 600V

• Dissipaço de poder máxima: 140W

• Temperatura de junço máxima: 175°C

• Escala de frequência do funcionamento: 200kHz - 30MHz

 

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