Transistor de poder de SI4703-C19-GMR RF - eficiência elevada compacta e desempenho seguro

Transistor de poder de SI4703-C19-GMR RF

Descriço do produto:

O SI4703-C19-GMR é um transistor de poder avançado do RF projetado usando um processo de alta tenso de BiCMOS. Este dispositivo é apropriado para aplicações de alta potência, de grande eficacia, e de baixo nível de ruído nas faixas do HF e do VHF. Caracteriza uma largura de banda larga, um poder a rendimento elevado, e uma figura de baixo nível de ruído. O SI4703-C19-GMR é apropriado para o uso em uma variedade de aplicações do RF que incluem amplificadores do RF, amplificadores de potência do RF, transmissores de alta potência do RF, e mais.

Características chaves:

- Operaço de faixa larga de 0,7 a 500 megahertz
- DBm até 11,5 a rendimento elevado do poder
- Figura de baixo nível de ruído de DB 1,7
- VSWR largo do 1.5:1
- Ganho alto de DB 20
- Eficiência elevada de até 50%
- Eficiência poder-adicionada alta de até 33%
- Baixo auto-aquecimento < 0=""> - da estabilidade alta sobre a temperatura e o envelhecimento
- RoHS complacente

Pacote:
- 3 milímetros x 3 milímetros

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