Poder superior do transistor de poder de SI1000-C-GM RF e largura de banda larga da eficiência

Transistor de poder de SI1000-C-GM RF

Características:

• Ganho alto
• Figura de baixo nível de ruído
• Saída de poder superior
• Desempenho de faixa larga
• Baixa dissipaço de calor
• Nenhuns circuitos diagonais externos exigidos

Especificações:
• Escala de frequência: 1.8-2.7 gigahertz
• Ganho do poder: minuto 12dB
• Saídas de potência: 25W
• Figura de ruído: tipo 4dB
• Tenso de funcionamento: 25V
• Atual de funcionamento: 1A máximo
• Pacote: Montagem de superfície, TO-247

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