Transistor de poder de SI4702-C19-GMR RF - elevado desempenho seguro e durável

Transistor de poder de SI4702-C19-GMR RF

Vista geral do produto:

O SI4702-C19-GMR é um transistor de poder do RF do elevado desempenho projetado para aplicações do amplificador de potência do RF em aplicações industriais e do consumidor. Este dispositivo é apropriado para aplicações tais como estações base celulares, repetidores, e aplicações sem fio do consumidor. É projetado com uma alta tenso da diviso de 30V, uma corrente máxima do dreno de 10.5A, e uma resistência do em-estado de 0.065Ω.

Características do produto:

• Alta tenso da diviso: 30V
• Corrente máxima do dreno: 10.5A
• resistência do Em-estado: 0.065Ω
• Baixa tenso da movimentaço da porta: 3V
• Baixa capacidade da entrada de porta: 44.3pF
• Ganho do poder superior: 18dB
• Baixa resistência térmica: 0.66°C/W
• RoHS complacente

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