Transistor de poder de SI1000-E-GM2R RF - saída de poder superior de baixo nível de ruído

Number modelo:SI1000-E-GM2R
Lugar de origem:Multi-origem
Quantidade de ordem mínima:1
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Capacidade da fonte:99999
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Shenzhen China
Endereço: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto

Transistor de poder de SI1000-E-GM2R RF

 

Características:


• 500-1000 do funcionamento megahertz de escala de frequência
• tenso de funcionamento 28V
• 10W potência de saída
• ganho do DB 6
• Eficiência elevada
• De baixo nível de ruído
• Baixa distorço
• Linearidades altas

Aplicações:
• Estações base móveis
• Comunicações sem fio profissionais
• Rádios em dois sentidos

 

 

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Transistor de poder de SI1000-E-GM2R RF - saída de poder superior de baixo nível de ruído

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