Transistor de poder de SI4010-C2-GSR RF - elevado desempenho e solução segura do poder

Número do modelo:SI4010-C2-GSR
Lugar de origem:Multi-origem
Quantidade de ordem mínima:1
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:99999
Prazo de entrega:1-7days
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Shenzhen China
Endereço: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Transistor de poder de SI4010-C2-GSR RF

 

Descriço do produto:


O SI4010-C2-GSR é um transistor de poder de capacidade elevada do RF projetado especificamente para o uso na banda estreita, as aplicações do poder superior tais como celular, a infraestrutura PCS, e 3G. O dispositivo é fabricado usando um GaN especial sic no processo que fornece a eficiência elevada, o poder superior, e a baixa resistência térmica. O SI4010-C2-GSR é abrigado em um pacote selado hermeticamente, que forneça o desempenho térmico e elétrico excelente.

 

Características:


• Saída de poder superior: até 160W
• Eficiência elevada: até 45%
• Baixa resistência térmica: 0.2°C/W
• Consumo da baixa potência: <200ma> • Operaço de faixa estreita: 5MHz a 1GHz
• Pacote selado hermeticamente
• Operaço de alta temperatura: até +175°C

Aplicações:
• Estaço base celular
• Infraestrutura do PCS
• infraestrutura 3G
• Sistemas de transmisso
• Rádios militares
• Rádios automotivos
• Equipamento médico

 

 

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