Do poder superior de superfície do transistor da montagem de HMC326MS8GETR linearidades altas

Transistor de poder de HMC326MS8GETR RF - linearidade alta do poder superior

HMC326MS8GETR, pHEMT do GaAs, transistor de poder do RF

Descriço do produto:

O HMC326MS8GETR é um de capacidade elevada, pHEMT do GaAs, transistor de poder do RF. É projetado para o uso em uma grande variedade de aplicações tais como comunicações celulares e de faixa larga. Este dispositivo oferece o desempenho excelente do RF sobre uma vasta gama de frequências, com um máximo potência de saída do dBm 18,5 e um ganho máximo de DB 16. O HMC326MS8GETR é igualmente extremamente linear, com um ó ponto da intercepço da ordem do dBm +40. Este dispositivo é fornecido em um sem chumbo, RoHS complacente, 3 x 3 pacote do milímetro QFN.

Características:

• dBm 18,5 potência de saída
• ganho do DB 16
• ponto da intercepço da ordem de +40 dBm ó
• Escala de frequência do funcionamento: 0,2 a 2,0 gigahertz
• Sem chumbo, RoHS complacente, 3 x 3 pacote do milímetro QFN

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