Ganho alto de baixo nível de ruído do elevado desempenho dos transistor de poder de HMC536LP2E RF

Ganho alto de baixo nível de ruído do elevado desempenho do transistor de poder de HMC536LP2E RF

Transistor de poder de HMC536LP2E

Descriço do produto:

O HMC536LP2E é um amplificador de potência do pHEMT MMIC do GaAs que se opere entre a C.C. e os 6 gigahertz. Este amplificador é projetado para aplicações tais como rádios pontos a ponto, rádios point-to-multipoint e VSATs.

Características:

• Ganho: DB 14,5
• Saídas de potência: dBm +28
• P1dB: dBm +26
• Figura de ruído: DB 3,2
• Drene a eficiência: 20%
• Tenso de funcionamento: +5V
• Impedncia do entrada/saída: 50 ohms
• Temperatura de funcionamento: -40°C a +85°C

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