Frequência de uso geral 700MHz dos transistor de poder de HMC789ST89ETR RF

Transistor de poder de HMC789ST89ETR RF

Descriço do produto:

Os transistor de poder de HMC789ST89ETR RF so transistor de capacidade elevada, de alta frequência, de alta potência apropriados para o uso em aplicações do amplificador. O HMC789ST89ETR oferece o desempenho excelente do ganho e do poder, assim como o de baixo nível de ruído, que faz ideal para o uso em aplicações lineares e do amplificador de potência.

Características:

- Transistor de capacidade elevada, de alta frequência, de alta potência
- Apropriado para o uso em aplicações do amplificador
- Desempenho excelente do ganho e do poder
- De baixo nível de ruído
- Linearidades excelentes
- Escala de frequência larga
- Poder superior que segura capacidades
- Confiança alta

Aplicações:
- Amplificadores do RF e da micro-ondas
- Sistemas de comunicaço móvel
- Sistemas do radar
- Sistemas de comunicaço satélite
- Aplicações do espaço aéreo e da defesa
- Sistemas de comunicaço sem fio

Especificações:

- Escala de frequência: 0.1-6000 megahertz
- Ganho do poder: DB 20
- Saídas de potência: 50 W
- Figura de ruído: DB 3
- Impedncia entrada: 50 ohms
- Impedncia da saída: 50 ohms
- Temperatura de funcionamento: -55°C a +

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