Desempenho de baixo nível de ruído do poder superior dos transistor de poder de HMC849ALP4CETR RF

Desempenho de baixo nível de ruído do poder superior do transistor de poder de HMC849ALP4CETR RF

Transistor de poder de HMC849ALP4CETRR RF

Características do produto:

- Frequência de funcionamento: até 4.5GHz
- Ganho: 11-14dB
- potência de saída Único-terminado: +30dBm
- Tipo do pacote: Montagem de superfície
- Ganho do poder: 16dB
- VSWR entrado: máximo do 1.5:1
- Tenso máxima da Dreno-fonte: 20V
- Tenso máxima da Porta-fonte: 10V
- Em-resistência da Dreno-fonte: 0,4 ohms

Aplicações:

- Infraestrutura celular
- Sistemas de comunicaço militares
- Redes locais sem fio (WLAN)
- Sistemas de comunicaço Wideband

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