Transistor de poder de alta potência de HMC544AE 50W GaN-Em-SIC RF

Transistor de poder de HMC544AE RF

Características:

- Poder a rendimento elevado: dBm 28 típico
- Ganho alto: DB 14 típico
- Figura de baixo nível de ruído: DB 2 típico
- Linearidades excelentes
- Largura de banda larga: 600 megahertz
- RoHS complacente

Pacote: Montagem de superfície, 4-Lead SOT-363

Aplicações:

- Celular e PCS
- Estações base 2.5G/3G/4G
- WLAN/WiMAX
- Equipamento de teste
- Comunicações de faixa larga
- Aplicações de High Dynamic Range

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