Alta frequência e saídas de potência do transistor de poder 5GHz de HMC406MS8GETR RF

Transistor de poder de HMC406MS8GETR RF

Características do produto:

- Operaço Wideband de 0,1 a 6,0 gigahertz
- Ganho alto: DB 15,5 em 0,9 gigahertz
- Poder a rendimento elevado: dBm 19,5 em 0,9 gigahertz
- Figura de baixo nível de ruído: DB 2,6 em 0,9 gigahertz
- Eficiência adicionada poder superior: 34% em 0,9 gigahertz
- IP3 a rendimento elevado: dBm +27 em 0,9 gigahertz
- Baixo consumo da alimentaço de DC: 890 mW em 3V
- Baixa frequência de interrupço do ganho atual: Fc = 7,3 gigahertz
- Estabilidade alta: °C +25 ao °C +85
- Sem chumbo, pacote complacente de RoHS

Aplicações:

- Aplicações do amplificador de poder superior
- Sistemas de comunicaço Wideband
- Infraestrutura sem fio
- Relações de rádio pontos a ponto
- sistemas do Multi-portador GSM/EDGE
- Sistemas de W-CDMA/HSPA/LTE

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