Elevado desempenho do circuito integrado 2.4GHz de CYW20719B1KUMLG IC

Number modelo:CYW20719B1KUMLG
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Shenzhen China
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Detalhes do produto

Pacote 40-QFN da baixa potência do elevado desempenho dos transistor de poder de CYW20719B1KUMLG RF

 

Estado do produto
No para projetos novos
Tipo
TxRx + MCU
Família/padro do RF
Bluetooth
Protocolo
Bluetooth v5.0
Modulaço
8DPSK, DQPSK, GFSK
Frequência
2.4GHz
Taxa de dados (máxima)
3Mbps
Saídas de potência
4dBm
Sensibilidade
-95.5dBm
Tamanho de memória
1MB flash, 2MB ROM, 512kB RAM
Relações de série
² C DE I, SPI, UART
GPIO
40
Tenso - fonte
1.9V ~ 3.6V
Atual - recebendo
5.9mA
Atual - transmitindo
5.6mA ~ 20.5mA
Temperatura de funcionamento
-30°C ~ 85°C
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
40-UFQFN expôs a almofada
Pacote do dispositivo do fornecedor
40-QFN (5x5)

 

Transistor de poder de CYW20719B1KUMLG RF

 

Descriço do produto:

O CYW20719B1KUMLG é um transistor de poder do RF projetado para aplicações sem fio de capacidade elevada. Oferece a alta tenso da diviso e a baixa resistência do em-estado. Este dispositivo é apropriado para o uso nas aplicações que incluem o LAN sem fio, o Bluetooth, e periféricos sem fio do PC.

 

Características:

• Alta tenso da diviso
• Baixa resistência do em-estado
• Apropriado para aplicações sem fio de capacidade elevada, tais como o LAN sem fio, o Bluetooth e periféricos sem fio do PC
• Compatível com circuitos padro do CMOS, do TTL, e do PLL
• RoHS complacente

 

Especificações:

• Tenso máxima do Coletor-emissor (VCE): 100V
• Tenso máxima da Coletor-base (VCB): 150V
• Tenso máxima da Emissor-base (VEB): 7V
• Corrente de coletor máxima (IC): 5A
• Dissipaço de poder máxima (paládio): 25W
• Variaço da temperatura de funcionamento: -40°C a 85°C
• Variaço da temperatura do armazenamento: -40°C a 125°C

 

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Elevado desempenho do circuito integrado 2.4GHz de CYW20719B1KUMLG IC

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