Transistores de potência de RF HMC915LP4ETR alto desempenho alta eficiência

Number modelo:HMC915LP4ETR
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Capacidade da fonte:99999
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: 1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Detalhes do produto

HMC915LP4ETR Transistor de potência de RF - alto desempenho alta eficiência


Especificações do produto:


- Faixa de frequência: 9-10 GHz
- Ganho de potência: 13 dB
- Potência de saída: 23 dBm
- Tenso de alimentaço: +5V
- Consumo atual: 1,2A
- Temperatura de operaço: -40°C a +85°C
- Impedncia de entrada: 50 ohms
- Pacote: 4mm x 4mm QFN


Status do produto
Obsoleto
Tipo de RF
Propósito geral
Frequência
500 MHz ~ 2,7 GHz
Número de misturadores
1
Ganho
-
Figura de ruído
8,5dB
Atributos Secundários
-
Atual - Fornecimento
88mA
Tenso - Fornecimento
5V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Estojo
24-VFQFN Almofada exposta
Pacote de dispositivos do fornecedor
24-QFN (4x4)
Número do produto básico

Por que comprar conosco >>>Rápido / Seguro / Conveniente


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