Transistor de poder EPM7256AEQC208-10 do RF - consumo da baixa potência do elevado desempenho

Lista do produto:

Nome do produto: Transistor de poder de EPM7256AEQC208-10 RF

Características do produto:
- Modo do realce do N-canal
- Porta de silicone Auto-alinhada
- Elevado desempenho
- Baixa Em-resistência

Especificações técnicas:

- Dissipaço de poder máxima: 2.8W
- Tenso máxima da fonte do dreno: 20V
- Tenso de fonte de porta máxima: 20V
- Corrente máxima do dreno: 2A
- Temperatura de junço máxima: 150°C
- Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
- Pacote/caso: QFN-16

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