MOSFET integrado do poder de IC PMIC EfficiencyLinear da gestão do poder de MIC5209-3.3YS regulador alto

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Gesto IC do poder de YS do MIC5209 - 3,3

MOSFET integrado do poder de PMIC EfficiencyLinear regulador alto

 

 

 

Lista do produto:

 

 

Gesto IC do poder de MIC5209-3.3YS

 

 

O MIC5209-3.3YS é avançado, baixa potência, o circuito integrado eficaz na reduço de custos da gesto do poder (PMIC) que permite o projeto do sistema de energia com tamanho pequeno e de baixo nível de ruído. O dispositivo integra um regulador da baixo-saída (LDO), o regulador de carregamento linear, e reguladores de tenso múltiplos para o uso em aplicações a pilhas e outras que exigem o controle da fonte de alimentaço.

 

 

 

Características:

• Baixa tenso da saída: 0,325 V (típicos)
• Baixa corrente quieta: μA 50 (típico)
• Corrente de saída: 0,6 A (máximo)
• Dois reguladores lineares de baixo nível de ruído
• Proteço térmica da parada programada
• Escala de tenso entrada: 2,5 V a 5,5 V
• Escala da tenso da saída: 0,8 V a 3,3 V
• PSRR alto: DB 70 (típico)
• Rejeço alta da ondinha: DB 80 (típico)
• Eficiência elevada: 90% (típico)

 

 


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