Componente eletrônico do chip IC MOSFET

Descrição:MMBT3906LT1G
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Boa qualidade.Componente eletrónicofornecedor da China GS Electronics,

MMBT3906LT1G - Detalhes do produto

 

Introduço:
O MMBT3906LT1G é um transistor PNP de alta qualidade que oferece excelente desempenho e fiabilidade num pacote compacto.Este transistor é bem adequado para uso em amplificadores.As suas características eléctricas excepcionais e o seu pequeno factor de forma tornam-no uma escolha ideal para projectos em que o espaço é limitado e o desempenho é crucial.

 

Características principais:

  1. Transistor PNP: O MMBT3906LT1G é um transistor PNP (Positivo-Negativo-Positivo), permitindo a amplificaço e comutaço eficientes de sinais elétricos.

  2. Amplificaço de sinal pequeno: Este transistor é projetado especificamente para aplicações de amplificaço de sinal pequeno, tornando-o adequado para amplificadores de áudio, osciladores e outros circuitos de baixa potência.

  3. Alto ganho: o MMBT3906LT1G oferece um ganho de corrente (hFE) de até 300, garantindo uma amplificaço eficaz do sinal e uma reproduço precisa.

  4. Baixo Ruído: Com um baixo nível de ruído, este transistor minimiza ruído e interferências indesejadas, tornando-o ideal para aplicações de áudio e radiofrequência sensíveis.

  5. Velocidade de comutaço rápida: O MMBT3906LT1G possui uma velocidade de comutaço rápida, permitindo transições rápidas de ligaço/desligaço em circuitos digitais e aplicações de comutaço.

  6. Ampla faixa de tenso: Este transistor opera dentro de uma ampla faixa de tenso de -40V, tornando-o adequado para uma ampla gama de projetos eletrônicos.

  7. Pacote SMD: O MMBT3906LT1G vem em um pacote compacto SMD (Surface Mount Device), facilitando a fácil integraço em placas de circuito densamente povoadas e aplicações de espaço limitado.

 

Características elétricas:

Para obter uma melhor compreenso do desempenho elétrico do MMBT3906LT1G, consulte o quadro abaixo:

ParmetroSímboloValor
Corrente do colector (DC)- No200 mA
Potência do colector (máximo)Pc350 mW
Voltagem colector-emissor (máximo)Vceo-40 V
Voltagem de base do colector (máximo)Vcbo-40 V
Voltagem de base do emissor (máximo)Vebo-5 V
Frequência de transiçoft250 MHz
Intervalo de temperatura de funcionamentoEm cima-55°C a +150°C

 

Aplicações:

O transistor MMBT3906LT1G encontra aplicações em uma ampla gama de circuitos eletrônicos, incluindo:

  1. Amplificadores: Use o MMBT3906LT1G em amplificadores de áudio, pré-amplificadores e outros estágios de amplificaço de baixa potência.

  2. Circuitos de comutaço: Use este transistor em circuitos de comutaço, como switches digitais, drivers de relé e portas lógicas.

  3. Osciladores: O MMBT3906LT1G pode ser usado em circuitos de oscilador para gerar frequências estáveis e precisas.

  4. Processamento de sinal: Utilize este transistor em aplicações de processamento de sinal, como filtros, misturadores e moduladores.

  5. Circuitos de RF (Radio Frequency): O baixo ruído e o alto ganho do MMBT3906LT1G o tornam adequado para circuitos de RF, incluindo amplificadores e receptores de RF.

 

Por favor, note que esta é apenas uma breve viso geral das características e aplicações do transistor MMBT3906LT1G.Ver a ficha de dados do produto e as notas de aplicaço.

Em concluso, o transistor MMBT3906LT1G PNP é um componente compacto e confiável que oferece alto desempenho em uma ampla gama de circuitos eletrônicos.ruído baixo, e velocidade de comutaço rápida, é uma excelente escolha para tarefas de amplificaço, comutaço e processamento de sinal.

 

Incorpore o MMBT3906LT1G nos seus projetos para melhorar o desempenho e obter resultados ideais.

Para mais informações, fichas de dados e suporte, visite o nosso website ou entre em contacto com a nossa equipa de vendas.

 

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VisitaA partir de 1 de janeiro de 2014:para mais informações

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