Memória paralela IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM

Number modelo:AT28HC64BF-12SU
Lugar de origem:América
Quantidade de ordem mínima:27 peças
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidade da fonte:6K PCS
Prazo de entrega:2-3 dias
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Shenzhen China
Endereço: Rm1025, construção internacional da cultura, estrada meados de #3039 de ShenNan, distrito de FuTian, Shenzhen
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Detalhes do produto

Memória IC 64Kbit 120 paralelos Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM

Descriço:

O AT28HC64BF é uma memória de leitura apenas elétrico-apagável e programável de capacidade elevada (EEPROM).

Seu 64K da memória é organizado como 8.192 palavras por 8 bocados. Fabricado com CMOS permanente avançado de Atmel

a tecnologia, o dispositivo oferece tempos de acesso a 55 ns com dissipaço de poder de apenas 220 mW. Quando o dispositivo for

deselected, a corrente espera do CMOS é menos do µA 100.

 

Detalhe rápido:

Fabricante
Tecnologia do microchip
Fabricante Product Number
AT28HC64BF-12SU
Fabricante Standard Lead Time
52 semanas
Descriço detalhada
Memória IC 64Kbit 120 paralelos ns 28-SOIC de EEPROM

 

Atributos de produto:

TIPO
DESCRIÇO
Categoria
Memória
Mfr
Tecnologia do microchip
Pacote
Tubo
Estado do produto
Ativo
Tipo da memória
Permanente
Formato da memória
EEPROM
Tecnologia
EEPROM
Tamanho de memória
64Kbit
Organizaço da memória
8K x 8
Relaço da memória
Paralelo
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
10ms
Tempo de acesso
120 ns
Tenso - fonte
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 85°C (TC)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
28-SOIC (0,295", largura de 7.50mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
28-SOIC
Número baixo do produto
AT28HC64

 

Recursos adicionais:

ATRIBUTODESCRIÇO
Outros nomesAT28HC64BF12SU
Pacote padro27

 

Características

• Tempo de acesso lido rápido – 70 ns

• A página automática escreve a operaço – travas de endereço interno e de dados para 64 bytes

• Escreva rapidamente tempos de ciclo

– A página escreve o tempo de ciclo: 2 Senhora máximo (padro)

– a página de 1 a 64 bytes escreve a operaço

• Dissipaço de baixa potência

– corrente ativa de 40 miliampère

– corrente espera do CMOS de 100 µA

• Proteço de dados do hardware e do software

• A votaço dos DADOS e o bocado de alavanca para o fim de escrevem a detecço

• Tecnologia alta do CMOS da confiança

– Resistência: 100.000 ciclos

– Retenço dos dados: 10 anos

• Única 5 fonte de V ±10%

• CMOS e entradas e saídas compatíveis de TTL

• JEDEC aprovou Pinout Byte-largo

• Variações da temperatura industriais

• Verde (Pb/Halide-free) que empacota somente

Imagem dos dados:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

China Memória paralela IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM supplier

Memória paralela IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM

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