STM32H743ZGT6 Único-núcleo de 32 bits 480MHz 144-LQFP INSTANTÂNEO 20x20 de 1MB 1M x 8 de IC do microcontrolador do BRAÇO Cortex-M7 STM32H7)

FLASH de 32 bits 144-LQFP do Único-núcleo 480MHz 1MB de IC do microcontrolador de STM32H743ZGT6 ARM® Cortex®-M7 STM32H7 (1M x 8) (20x20)

Folha de dados: STM32H743ZGT6

Memórias

•Até 2 Mbytes da memória Flash com readwhile-escrevem o apoio

• Até 1 Mbyte de RAM: 192 Kbytes de TCM RAM (Inc. 64 Kbytes de ITCM RAM + 128 Kbytes de DTCM RAM para rotinas críticas do tempo), até 864 Kbytes do usuário SRAM, e 4 Kbytes de SRAM no domínio alternativo

• Relaço dupla da memória de Quadrilátero-SPI do modo que corre até 133 megahertz

• Controlador externo flexível da memória com até o ônibus de dados de 32 bits: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, memória Flash de NOR/NAND cronometrou até 100 megahertz no modo síncrono

• Unidade do cálculo do centro de detecço e de controlo

Gesto da restauraço e do poder

• 3 domínios separados do poder que podem independentemente pulso de disparo-ser bloqueados ou comutado fora:

– D1: capacidades de capacidade elevada

– D2: periféricos e temporizadores de uma comunicaço

– D3: controle restaurada/pulso de disparo/gesto do poder

• fonte da aplicaço de 1,62 a 3,6 V e I/Os

• POR, PDR, PVD e BOR

• Poder dedicado de USB que encaixa um regulador interno de 3,3 V para fornecer o PHYs interno

• Regulador encaixado (LDO) com a saída evolutiva configurável para fornecer os circuitos digitais

• Escamaço da tenso no modo da corrida e da parada (6 escalas configuráveis)

• Regulador alternativo (~0,9 V)

• Referência da tenso para peripheral/VREF+ análogo

• Modos da baixa potência: Sono, parada, apoio e consumo de apoio da baixa potência do carregamento de bateria de VBAT

• Modo de funcionamento da bateria de VBAT com capacidade de carregamento

• Estado do poder do processador central e do domínio que monitora os pinos

• µA 2,95 no modo espera (SRAM alternativo FORA, RTC/LSE SOBRE)

Imagem dos dados:

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