IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

Número do modelo:IS46TR16256AL-125KBLA2
Local de origem:Original
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:100.000
Tempo de entrega:dias 1-3working
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço: 804 sala, bloco C, plaza de Qunxing, Futian, Shenzhen, Guangdong, China. Código de cargo:  518028
Fornecedor do último login vezes: No 37 Horas
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  IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 ns 96-TWBGA

 

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

 

Especificações de IS46TR16256AL-125KBLA2

 

TÍPODescriço
CategoriaCircuitos integrados (CI)
Memória
MfrISSI, Soluço Integrada de Silício Inc.
Série-
PacoteCaixa
Estatuto do produtoObsoletos
Tipo de memóriaVolátil
Formato de memóriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Tamanho da Memória4Gbit
Organizaço da memória256M x 16
Interface de memóriaParalelo
Frequência do relógio800 MHz
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página15n
Tempo de acesso20 ns
Voltagem - Fornecimento1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montagemMontagem de superfície
Embalagem / Caixa96-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor96-TWBGA (9x13)
Número do produto de baseIS46TR16256

 
Característicasde
IS46TR16256AL-125KBLA2


* Tenso padro: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Baixa tenso (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
* Taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 1066 MHz
* 8 bancos internos para operaço simultnea
* Arquitetura de pré-recolha de 8n-bit
* Latência CAS programável
* Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
* Latência de gravaço de CAS programável (CWL) baseada em tCK
* Duraço de exploso programável: 4 e 8
* Sequência de exploso programável: Sequencial ou Interleave
* BL comutaço no vôo
* Auto auto-refresque (ASR)
* Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
* Intervalo de atualizaço:
- 7,8 us (8192 ciclos/ 64 ms) Tc= -40°C a 85°C
- 3,9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
* Auto-refrescamento de matriz parcial
* Pin ASINcrônico de RESET
* TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
* OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
* ODT dinmico (terminaço instantnea)
* Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Escrever nivelamento
* Até 200 MHz no modo DLL desligado
* Temperatura de funcionamento:
- Comercial (TC = 0°C a +95°C)
- Industrial (TC = -40°C a +95°C)
- Automóveis, A1 (TC = -40°C a +95°C)
- Automóveis, A2 (TC = -40°C a +105°C)

 

 

AplicaçõesdeIS46TR16256AL-125KBLA2


Configuraço:
- 512Mx8
- 256Mx16
Embalagem:
- 96-bola BGA (9mm x 13mm) para x16
- 78-bola BGA (9mm x 10,5mm) para x8

 

 

Classificações ambientais e de exportaço deIS46TR16256AL-125KBLA2

 

AtributoDescriço
Estatuto da RoHSConformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade humidade (MSL)3 (168 horas)
Estatuto REACHREACH No afectado
NomenclaturaEAR99
HTSUS8542.32.0036

 

 

  
 

China IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA supplier

IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

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