MOSFET de capacidade elevada do N-canal

FQPF10N65C - O MOSFET final para todas suas necessidades do poder

Introduzindo o FQPF10N65C, um MOSFET poderoso do N-canal que seja projetado com eficiência e confiança extremas na mente. Este MOSFET de capacidade elevada é construído para segurar as aplicações de alta tenso, fazendo lhe a escolha final para suas necessidades do poder. Com uma avaliaço da tenso da dreno-fonte (VDS) de 650 volts, o FQPF10N65C é projetado segurar facilmente altas tensões. Adicionalmente, sua avaliaço da corrente de fonte de 10 ampères assegura-se de que possa acomodar níveis elevados de atual sem nenhumas edições.

O FQPF10N65C vangloria-se de uma baixa em-resistência (RDSon) de somente 0,7 ohms, fazendo a altamente eficiente e capaz de conduzir correntes altas com perda de poder mínima. Seus meios rápidos da velocidade de comutaço que o MOSFET pode rapidamente girar de ligar/desligar, se assegurando de que responda rapidamente a todas as mudanças na corrente elétrica. Em seu núcleo, o FQPF10N65C é um MOSFET seguro e durável que seja projetado encontrar padrões rigorosos da qualidade e do desempenho. Se você está trabalhando em fontes de alimentaço, em circuitos de controlo do motor, ou em quaisquer outras aplicações de alta tenso, o FQPF10N65C é o MOSFET final para todas suas necessidades do poder. Em resumo, se você está procurando um MOSFET de capacidade elevada do N-canal que seja projetado para a eficiência, a durabilidade, e a confiança, olhe no mais adicional do que o FQPF10N65C. É a escolha final para todas suas necessidades do poder.

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