MOSFET do poder de IRFP250N

A soluço perfeita para aplicações atuais de alta tenso e altas

Você está procurando um MOSFET seguro para seu projeto eletrônico seguinte? Olhe no mais adicional do que o MOSFET do poder de IRFP250N. Este MOSFET vem com um anfitrio dos benefícios que lhe fazem a soluço perfeita para aplicações atuais de alta tenso e altas.

Profissionais:

- Capacidade de alta tenso até de 200V

- A baixa em-resistência (0,07 ohms), significando o pode segurar níveis atuais altos

- Velocidade de comutaço alta para a operaço rápida e eficiente

- Projeto durável e duradouro

- Fácil instalar e integrar em circuitos existentes

- Fixaço do preço disponível, fazendo lhe uma opço eficaz na reduço de custos para DIYers e profissionais igualmente

Contra:

- Pode exigir refrigerar adicional para impedir superaquecer em aplicações do poder superior

- No ideal para aplicações da baixa tenso

- No pode ser apropriada para aplicações exigir o controle extremamente preciso

Em resumo, o MOSFET do poder de IRFP250N é uma escolha excelente para aplicações atuais de alta tenso e altas. Suas capacidade de alta tenso, baixa em-resistência, e velocidade de comutaço rápida para fazer-lhe uma opço segura e disponível para DIYers e profissionais. Contudo, pode exigir refrigerar adicional e no pode ser apropriada para a baixa tenso ou aplicações altamente precisas.

Características técnicas:

• Montando o estilo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-247-3
• Polaridade do transistor: N-canal
• Número de canais: 1 canal
• Vds - tenso de diviso da Dreno-fonte: 200 V
• Identificaço - corrente contínua do dreno: 30 A
• RDS - na resistência da Dreno-fonte: 75 mOhms
• Vgs - tenso da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
• Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
• Paládio - dissipaço de poder: 214 W
• Modo do canal: Realce
• Tipo: Configuraço de Infineon/IR: Único
• Tempo de queda: 33 ns
• Altura: 20,7 milímetros
• Comprimento: 15,87 milímetros
• Tipo de produto: MOSFET
• Tempo de elevaço: 43 ns
• Subcategoria: MOSFETs
• Tipo do transistor: 1 N-canal
• Tempo de atraso típico da volta-Fora: 41 ns
• Tempo de atraso de ligaço típico: 14 ns
• Largura: unidade de 5,31 milímetros
• Peso: 0,211644 onças

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