MOSFET de alta potência para aplicações do poder

Experimente o desempenho superior do MOSFET de IRF640NPBF

Se você está procurando um MOSFET poderoso para suas aplicações do poder, o IRF640NPBF é a escolha perfeita para você. Este transistor de capacidade elevada do realce-modo do N-canal é projetado entregar o desempenho excelente com sua baixa resistência do em-estado de apenas 0,18 ohms. Este MOSFET é capaz de segurar uma corrente máxima de 18 ampères, que lhe faça uma escolha ideal para as aplicações que exigem a manipulaço atual alta. Adicionalmente, sua avaliaço máxima da tenso de 200 volts assegura a operaço segura, mesmo sob cargas pesadas. Caracterizando um projeto áspero e durável, o IRF640NPBF é construído para durar. Seu pacote é TO-220AB, que é de conhecimento geral no campo da eletrônica para seu desempenho térmico excelente. Isto significa que pode suportar altas temperaturas sem funcionar mal.

Este MOSFET igualmente caracteriza uma velocidade de comutaço rápida, que faça altamente eficiente em toda a aplicaço do poder. Sinal de adiço, é fácil instalar e pode ser usado nas várias aplicações, incluindo o controlo do motor, os reguladores de interruptor, os motoristas do solenoide, e o muito mais.

Em resumo, se você está procurando um MOSFET poderoso para suas aplicações do poder, o IRF640NPBF é uma escolha excelente. Com seus características proeminentes e projeto robusto, você pode ser certo que o fornecerá o desempenho seguro e eficiente para os próximos anos.

Características técnicas:

• Tecnologia: Si
• Montando o estilo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-220-3
• Polaridade do transistor: N-canal
• Número de canais: 1 canal
• Vds - tenso de diviso da Dreno-fonte: 200 V
• Identificaço - corrente contínua do dreno: 18 A
• RDS - na resistência da Dreno-fonte: 150 mOhms
• Vgs - tenso da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - tenso do ponto inicial da Porta-fonte: 2 V
• Qg - carga da porta: 44,7 nC
• Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
• Paládio - dissipaço de poder: 150 W
• Modo do canal: Realce
• Empacotamento: Tubo
• Tipo: Infineon Technologies
• Configuraço: Único
• Tempo de queda: 5,5 ns
• Transcondutncia dianteira - minuto: 6,8 S
• Altura: 15,65 milímetros
• Comprimento: 10 milímetros
• Tipo de produto: MOSFET
• Tempo de elevaço: 19 ns

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