Microplaqueta prática da disposição do transistor 600V, MOSFET FQPF8N60C do elevado desempenho

Number modelo:FQPF8N60C
Série:FQPF8N60C
Tipo:MOSFET
Pacote/caso:TO-220-3
Montando o estilo:Através do furo
Paládio - dissipação de poder:48 W
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FQPF8N60C - MOSFET do elevado desempenho para aplicações da eletrônica

Invista em componentes seguros e eficientes da eletrônica hoje

 

FQPF8N60C é um transistor do MOSFET que seja projetado para aplicações da eletrônica do elevado desempenho. Como um vendedor experiente no campo da eletrônica, nós estamos seguros em recomendar este componente aos clientes que esto procurando componentes seguros e eficientes da eletrônica. Este transistor do MOSFET entrega uma baixa em-resistência e uma capacidade de comutaço rápida que ajude a aumentar a eficiência de sistemas eletrônicos. Tem uma tenso da dreno-fonte de 600V e pode segurar uma dissipaço de poder máxima de 176W.

 

Além disso, facilita o uso de dissipadores de calor menores e simplifica a gesto térmica de projetos eletrônicos. O FQPF8N60C é uma soluço eficaz na reduço de custos para as aplicações de comutaço do poder que exigem o elevado desempenho e a capacidade de comutaço rápida. Com suas construço resistente e características elétricas excelentes, garante uma operaço segura e eficiente para seu sistema eletrônico. Invista no FQPF8N60C hoje e aprecie os benefícios de um transistor de capacidade elevada do MOSFET que seja garantido para encontrar suas necessidades da eletrônica.

 

Confie-nos para fornecê-lo os melhores produtos da eletrônica que o permitiro de construir os sistemas eletrônicos de alta qualidade e duradouros.

 

 

Características técnicas:

  • Tecnologia: Si
  • Montando o estilo: Através do furo
  • Pacote/caso: TO-220-3
  • Polaridade do transistor: N-canal
  • Número de canais: 1 canal
  • Vds - tenso de diviso da Dreno-fonte: 600 V
  • Identificaço - corrente contínua do dreno: 7,5 A
  • RDS - na resistência da Dreno-fonte: 1,2 ohms
  • Vgs - tenso da Porta-fonte: - 30 V, + 30 V
  • Th de Vgs - tenso do ponto inicial da Porta-fonte: 4 V
  • Qg - carga da porta: 28 nC
  • Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
  • Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
  • Paládio - dissipaço de poder: 48 W
  • Modo do canal: Realce
  • Série: FQPF8N60C
  • Empacotamento: Tubo
  • Tipo: onsemi/Fairchild
  • Configuraço: Único
  • Tempo de queda: 64,5 ns
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Microplaqueta prática da disposição do transistor 600V, MOSFET FQPF8N60C do elevado desempenho

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