Transistor poderoso do MOSFET de FQPF6N60C para a eletrônica de capacidade elevada

Componente robusto e seguro para aplicações elétricas superiores

Procurando um transistor robusto e de capacidade elevada do MOSFET para seus dispositivos eletrónicos? Olhe no mais adicional do que o FQPF6N60C. Este transistor é projetado entregar o desempenho elétrico excepcional, fazendo lhe uma escolha superior para uma vasta gama de aplicações. Com uma corrente máxima do dreno de 6A e uma tenso máxima de 600V, o FQPF6N60C pode segurar mesmo as aplicações de exigência facilmente. Seus baixa resistência do em-estado e desempenho de comutaço superior para assegurar-se de que seu dispositivo se opere eficientemente e confiantemente.

Construído para suportar altas temperaturas e circunstncias extremas, este transistor é construído com materiais robustos e tecnologia avançada. Sua baixa resistência térmica assegura a dissipaço de calor eficiente e o desempenho duradouro, fazendo lhe uma escolha segura para a eletrônica de capacidade elevada. Se você está trabalhando em um projeto eletrônico novo ou está reparando um dispositivo existente, o FQPF6N60C é um componente poderoso e seguro que eleve seu desempenho elétrico s alturas novas. Peça o vosso hoje e experimente o desempenho e a confiança superiores em seus projetos da eletrônica.

Características técnicas:

• Tecnologia: Si
• Montando o estilo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-220-3
• Polaridade do transistor: N-canal
• Número de canais: 1 canal
• Vds - tenso de diviso da Dreno-fonte: 600 V
• Identificaço - corrente contínua do dreno: 5,5 A
• RDS - na resistência da Dreno-fonte: 2 ohms
• Vgs - tenso da Porta-fonte: - 30 V, + 30 V
• Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
• Paládio - dissipaço de poder: 40 W
• Modo do canal: Realce
• Série: FQPF6N60C
• Empacotamento: Tubo
• Tipo: onsemi/Fairchild
• Configuraço: Único
• Tempo de queda: 45 ns
• Transcondutncia dianteira - minuto: 4,8 S
• Altura: 16,3 milímetros
• Comprimento: 10,67 milímetros
• Tipo de produto: MOSFET
• Tempo de elevaço: 45 ns

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