canal do transistor de poder superior TO-220-3 de 100V 33A IRF540NPBF N

Number modelo:IRF540NPBF
Número da peça.:IRF540NPBF
Tipo:MOSFET
Polaridade do transistor:N-canal
Pacote/caso:TO-220-3
TIPO:Infineon Technologies
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Shenzhen China
Fornecedor do último login vezes: No 39 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Transistor de poder de capacidade elevada

Descriço de IRF540NPBF: Projeto superior para eletrônica avançada

 

Se você está procurando um transistor de poder avançado para seus projetos da eletrônica, olhe no mais adicional do que o IRF540NPBF. Este transistor de capacidade elevada é projetado entregar resultados excepcionais, com um projeto superior que assegure a eficiência e a confiança ótimas. Caracterizando uma capacidade de alta tenso até de 100V, o IRF540NPBF pode operar-se em uma vasta gama de aplicações. Igualmente vangloria-se de uma capacidade atual alta até de 33A, fazendo o ideal para o uso nos circuitos de exigência que exigem capacidades de comutaço poderosas.

 

Mas o que se ajusta realmente o IRF540NPBF é distante seu projeto avançado. Com uma baixa resistência do em-estado e umas velocidades de comutaço rápidas, este transistor entrega o desempenho excepcionalmente eficiente e seguro. Igualmente caracteriza uma construço áspera que o faça resistente para danificar dos fatores ambientais como a temperatura e a vibraço.

 

Assim se você está procurando um transistor de poder de capacidade elevada que possa entregar resultados superiores mesmo nas aplicações de exigência, escolha o IRF540NPBF. Com seus projeto excepcional e desempenho seguro, é a escolha perfeita para projetos avançados da eletrônica.

 

 

Características técnicas:

  • Tecnologia: Si
  • Montando o estilo: Através do furo
  • Pacote/caso: TO-220-3
  • Polaridade do transistor: N-canal
  • Número de canais: 1 canal
  • Vds - tenso de diviso da Dreno-fonte: 100 V
  • Identificaço - corrente contínua do dreno: 33 A
  • RDS - na resistência da Dreno-fonte: 44 mOhms
  • Vgs - tenso da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
  • Th de Vgs - tenso do ponto inicial da Porta-fonte: 2 V
  • Qg - carga da porta: 47,3 nC
  • Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
  • Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
  • Paládio - dissipaço de poder: 140 W
  • Modo do canal: Realce
  • Empacotamento: Tubo
  • Tipo: Infineon Technologies
  • Configuraço: Único
  • Altura: 15,65 milímetros
  • Comprimento: 10 milímetros
  • Tipo de produto: MOSFET
China canal do transistor de poder superior TO-220-3 de 100V 33A IRF540NPBF N supplier

canal do transistor de poder superior TO-220-3 de 100V 33A IRF540NPBF N

Inquiry Cart 0