Transistor IGBT bipolar de IRG4IBC30S 1.7V, transistor do canal IGBT de TO-220 N

Number modelo:IRG4IBC30S
Número da peça:IRG4IBC30S
Circunstância:Novo
Profissionais:Eficiência elevada, velocidade de comutação alta, avaliação de alta temperatura
Resíduos:Em existência
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Shenzhen China
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Descubra os profissionais - e - contra de IRG4IBC30S antes de investir seu dinheiro

É IRG4IBC30S a escolha direita para suas necessidades da eletrônica?

 

Se você está procurando um transistor bipolar isolado poderoso da porta (IGBT) para seus projetos eletrônicos, você pode ter ouvido IRG4IBC30S. Este IGBT de alta qualidade de Infineon Technologies oferece uma escala dos benefícios e dos inconvenientes que você deve considerar antes de tomar uma deciso.

 

Profissionais:

1. Eficiência elevada: Com uma ultra-baixa tenso de VCE (se sentou) de 1.7V, IRG4IBC30S é um IGBT altamente eficiente que possa salvar a energia e reduzir a geraço de calor em seus dispositivos eletrónicos.

2. Velocidade de comutaço alta: Com uma velocidade de comutaço rápida apenas de 10ns, IRG4IBC30S pode segurar aplicações de alta frequência tais como fontes de alimentaço, o controlo do motor, e o aquecimento de induço de comutaço.

3. Avaliaço de alta temperatura: IRG4IBC30S tem uma temperatura de funcionamento máximo de 175°C, fazendo a apropriada para aplicações de alta temperatura.

 

Contra:

1. Custo alto: IRG4IBC30S é um IGBT superior que venha a custo alto comparado a outros modelos no mercado.

2. Escala de alta tenso: A escala da tenso de IRG4IBC30S é limitada a 600V, que no pode ser apropriado para aplicações de alta tenso.

3. Projeto complexo: IRG4IBC30S tem um projeto complexo que exija a muita atenço detalhar durante a instalaço e a operaço.

 

Em concluso, IRG4IBC30S é um topo de gama IGBT que possa fornecer a eficiência excelente, velocidade de comutaço, e manipulaço de alta temperatura. Contudo, seus custo alto, escala limitada da tenso, e projeto complexo devem ser considerados antes de fazer uma deciso comprando.

 

 

Especificações:

Tenso do emissor do coletor (VCEO): C.C. DE 600 V

Corrente de coletor: 2,5 A

Configuraço: Único

Tenso máxima do emissor da porta: 20 V

Dissipaço de poder: 35 W

Montando o estilo: Através do furo

Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C°

Temperatura de funcionamento máximo: 150 C°

Tipo: Retificador internacional

Pacote: TO-220F-3

China Transistor IGBT bipolar de IRG4IBC30S 1.7V, transistor do canal IGBT de TO-220 N supplier

Transistor IGBT bipolar de IRG4IBC30S 1.7V, transistor do canal IGBT de TO-220 N

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