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O STMicroelectronics STB80PF55T4 é um MOSFET de alto desempenho de canal P projetado para aplicações de energia que exigem comutaço eficiente e capacidades de manuseio de alta corrente.Com tenso de ruptura de 55 V e corrente de descarga contínua de 80 A, este MOSFET oferece um desempenho robusto em ambientes exigentes. O STB80PF55T4 apresenta uma baixa resistência fonte de drenagem (Rds On) de 16 mOhms,Minimizar as perdas de energia e melhorar a eficiência global do sistemaA configuraço de um único canal torna-o adequado para várias aplicações de comutaço de energia.
Com uma faixa de tenso gate-source de -16V a +16V, este MOSFET fornece flexibilidade na conduço do dispositivo e permite uma fácil integraço em projetos de circuitos existentes.A operaço no modo de reforço garante um comportamento de comutaço confiável e controladoEste MOSFET é baseado na tecnologia de silício (Si), conhecido por seu excelente desempenho e confiabilidade.oferecendo instalaço conveniente e benefícios de poupança de espaçoFuncionando numa ampla gama de temperaturas, de -55°C a +175°C, o STB80PF55T4 é adequado para ambientes adversos e pode suportar condições de funcionamento exigentes.
O MOSFET STB80PF55T4 foi projetado para lidar com alta dissipaço de energia, com uma classificaço de dissipaço de energia de 300W. Isso permite que ele lide com cargas de energia significativas sem comprometer o desempenho.Com tempo de subida de 190 ns e tempo de queda de 80 ns, este MOSFET garante características de comutaço rápidas e eficientes, contribuindo para melhorar o desempenho do sistema.O STB80PF55T4 oferece um formato compactoSe estiver a trabalhar em fontes de alimentaço, controlo de motores ou noutras aplicações de alta potência,O MOSFET de canal P STB80PF55T4 da STMicroelectronics fornece uma alta potência, baixa resistência, e comutaço eficiente para as suas necessidades de design.
Características | Especificações |
---|---|
Fabricante | STMicroelectrónica |
Categoria de produtos | MOSFET |
Tecnologia | Sim |
Estilo de montagem | SMD/SMT |
Embalagem / Caixa | TO-263-3 |
Polaridade do transistor | Canal P |
Número de canais | 1 Canal |
Vds - Tenso de ruptura da fonte de drenagem | 55 V |
Id - Corrente de escoamento contínua | 80 A |
Rds On - Resistência da fonte de drenagem | 16 mOhms |
Vgs - Tenso da fonte de entrada | -16 V, +16 V |
Temperatura mínima de funcionamento | -55°C |
Temperatura máxima de funcionamento | +175°C |
Pd - Dissipaço de energia | 300 W |
Modo de canal | Reforço |
Série | STB80PF55T4 |
Embalagem | Reel, Cut Tape, MouseReel |
Configuraço | Solteiro |
Tempo de Outono | 80 ns |
Transcondutividade para a frente - Min | 32 S |
Altura | 4.6 mm |
Duraço | 10.4 mm |
Hora de subir. | 190 ns |