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STGW80H65DFB isolou transistor bipolares do transistor 650V 80A 469W IGBT da porta
Aplicações
• Inversores fotovoltaicos
• Conversores de alta frequência
Especificações
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
STMicroelectronics | |
Categoria de produto: | Transistor de IGBT |
Si | |
TO-247-3 | |
Através do furo | |
Único | |
650 V | |
1,6 V | |
- 20 V, + 20 V | |
120 A | |
469 W | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
Tubo | |
Corrente de coletor contínua CI máxima: | 80 A |
Corrente do escapamento do Porta-emissor: | nA 250 |
Subcategoria: | IGBTs |
Peso de unidade: | 1,340411 onças |
Descriço
Estes dispositivos so IGBTs desenvolvido usando uma estrutura proprietária avançada do fieldstop da porta da trincheira. Estes dispositivos so parte das séries novas do HB de IGBTs, que representam um acordo o melhor entre a conduço e a perda de comutaço para maximizar a eficiência de todo o conversor de frequência. Além disso, o coeficiente de temperatura levemente positivo de VCE (se sentou) e o resultado muito apertado da distribuiço do parmetro na operaço de paralelizaço mais segura.
Características
• Temperatura de junço máxima: TJ = °C 175
• Série de comutaço de alta velocidade
• Corrente minimizada da cauda
• Baixa tenso de saturaço: VCE (sentado) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 80 A
• Distribuiço apertada do parmetro
• Paralelizaço segura
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentou)
• Baixa resistência térmica
• Diodo antiparalelo da recuperaço macia muito rápida
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Transporte | Período de entrega |
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Retorno garantia | Retorno |
Os retornos so aceitados normalmente quando terminados dentro de 30 dias da data da expediço. As peças devem ser no utilizadas e dentro empacotamento original. O cliente tem que tomar a carga para transporte.
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Garantia |
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