Transistor de poder alto IKW25N120T2 da aspereza IGBT K25T1202 1200V 25A
Number modelo:IKW25N120T2
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, MoneyGram, PayPay
Capacidade da fonte:20000pcs pelo mês
Prazo de entrega:dias 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
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IKW25N120T2,1200 V, 25 Um IGBT discreto com o diodo antiparalelo no pacote TO-247
Transistor bipolares isolados do transistor IKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A Igbt da porta
Descriço
1200 V, 25 Um IGBT discreto com o diodo antiparalelo no pacote TO-247
Tecnologia da parada de campo da porta da trincheira da característica de Infineon 1200V Gen8 IGBTs entregada no padro do setor
Pacotes TO-247 para fornecer o desempenho da melhor-em-classe para aplicações industriais e de poupança de energia.
A tecnologia Gen8 oferece umas características mais macias da volta-fora ideais para aplicações da movimentaço do motor, minimizando
dv/dt para reduzir o IEM, e a sobretenso, confiança crescente e aspereza. Infineon 1200V Gen8
IGBTs tem avaliações atuais de 8A até 60A com VCE típico (SOBRE) de 1.7V, e procurar um caminho mais curto a avaliaço
de 10µs para reduzir a dissipaço de poder, tendo por resultado a densidade de poder e o vigor aumentados. Utilizaço fina
tecnologia da bolacha, 1200V Gen8 IGBTs para entregar a resistência térmica melhorada e a junço máxima
temperatura até +175°C.
Características
A mais baixa gota de VCEsat para mais baixas perdas da conduço
Baixas perdas de comutaço
Capacidade de comutaço paralela fácil devido ao coeficiente de temperatura positivo em VCEsat
O emissor antiparalelo da recuperaço muito macio, rápido controlou o diodo
Aspereza alta, comportamento estável da temperatura
Baixas emissões do IEM
Baixa carga da porta
Distribuiço apertada mesma do parmetro
Aplicações
Aparelhos eletrodomésticos
Controlo do motor e movimentações
Fontes de alimentaço ininterrupta (UPS)
- Especificações
Atributo de produto Valor de atributo Categoria de produto: Transistor de IGBT Si TO-247-3 Através do furo Único 1,2 quilovolts 1,7 V - 20 V, + 20 V 50 A 349 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tubo Corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 200 Altura: 20,95 milímetros Comprimento: 15,9 milímetros Tipo de produto: Transistor de IGBT - Guia da compra
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Após ter confirmado a ordem, nós avaliaremos os custos de envio baseado no peso dos bens
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Retorno | Retorno |
Os retornos so aceitados normalmente quando terminados dentro de 30 dias da data da expediço. As peças devem ser no utilizadas e dentro empacotamento original. O cliente tem que tomar a carga para transporte.
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Todas as compras de Retechip vêm com um dinheiro-para trás de 30 dias a política do retorno, esta garantia no se aplicará a nenhum artigo de onde os defeitos foram causados pelo conjunto impróprio do cliente, falha pelo cliente seguir instruções, produto operaço da alteraço, a negligente ou a imprópria
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Transistor de poder alto IKW25N120T2 da aspereza IGBT K25T1202 1200V 25A
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