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MOSFET POWER através do buraco (TO-254AA)
Resumo do produto Número da peça RDS ((on) ID IRFM250 0,100 Ω 27.4A
IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 REF:MIL-PRF-19500/592 200V, TECNOLOGIA HEXFET® MOSFET N-CHANNEL
O IRFM250 é um MOSFET N-canal de alta potência projetado para várias aplicações, incluindo fontes de alimentaço, controle de motor e circuitos de comutaço.Este MOSFET oferece desempenho e eficiência excepcionais com sua baixa resistência e alta capacidade de manuseio de corrente.
Infineon | |
Categoria do produto: | MOSFET |
Sim | |
Através do Buraco | |
TO-254-3 | |
N-canal | |
1 Canal | |
200 V | |
27.4 A | |
105 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
- 55 C. | |
+ 150 C | |
150 W | |
Reforço | |
Marca: | Infineon / IR |
Configuraço: | Solteiro |
Tempo de queda: | 130 ns |
Altura: | 130,84 mm |
Duraço: | 130,84 mm |
Tipo de produto: | MOSFET |
Hora de subida: | 190 ns |
Subcategoria: | MOSFETs |
Tipo de transistor: | 1 canal N |
Tempo típico de atraso da desligaço: | 170 ns |
Tempo típico de atraso da ligaço: | 35 ns |
Largura: | 6.6 mm |
Peso unitário: | 0.011993 onças |
O IRFM250 Power MOSFET é adequado para as seguintes aplicações:
A tabela a seguir apresenta as principais especificações do MOSFET de potência IRFM250:
Guia de negociaço
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Opço de transporte | Fornecemos DHL, FedEx, EMS, SF Express e Registro de Correio Aéreo de envio internacional. | |
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Regresso | Regresso | As devoluções so normalmente aceites quando concluídas no prazo de 30 dias a contar da data de expediço. As peças devem estar no utilizadas e na embalagem original. O cliente deve assumir o encargo do transporte. |
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