Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm
Number modelo:JDCD01-001-013
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000pcs/Month
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
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Shanghai Shanghai China
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Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0="">
Vista geral
Desde os anos 90, foi usado geralmente nos diodos luminescentes
(diodo emissor de luz). O nitreto do gálio desprende uma luz azul
usada para a disco-leitura em Blu-ray. Adicionalmente, o nitreto do
gálio é usado em dispositivos de poder do semicondutor, em
componentes do RF, em lasers, e em photonics. No futuro, nós
veremos GaN na tecnologia de sensor.
| (11- 22) enfrente carcaças autônomas de GaN | ||||
| Artigo | GaN-FS-SP-U-s | GaN-FS-SP-N-s | GaN-FS-SP-SI-s | Observações: Um ngulo circular do arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensões | 5 x 10 milímetros2 | |||
| Espessura | µm 350 ±25 | |||
| Orientaço | plano (de 11-22) fora do ngulo para a M-linha central 0 ±0.5° plano (de 11-22) fora do ngulo para a C-linha central - 1 ±0.2° | |||
| Tipo da conduço | N-tipo | N-tipo | Semi-isolamento | |
| Resistividade (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm do ≤ 10 | |||
| CURVA | - 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm | |||
| Front Surface Roughness | < 0=""> ou < 0=""> | |||
| Aspereza de superfície traseira | 0,5 μm ~1,5 opço: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0=""> | |||
| Densidade de deslocaço | De 1 x 105 a 3 x 106 cm2 | |||
| Densidade macro do defeito | 0 cm2 | |||
| Área útil | > 90% (excluso da borda) | |||
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio | |||
Apêndice: O diagrama do ngulo do miscut
Se ±0.5°do δ1 = 0, a seguir o plano (de 11-22) fora do ngulo para a M-linha central so 0 ±0.5°.
Se δ2 = - 1 ±0.2°, a seguir o plano (de 11-22) fora do ngulo para a C-linha central so - 1 ±0.2°.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa viso a manter um bom relacionamento da cooperaço com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
FAQ
Q: So você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens esto no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens no esto no estoque, ele é de acordo com a
quantidade.
Q: Você fornece amostras? so livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas no
pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado,
equilíbrio antes da expediço.
Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm
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