laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm
Number modelo:JDWY03-001-024
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000pcs/Month
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
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Shanghai Shanghai China
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Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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P-tipo GaN MG-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity~10Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN
Por que use GaN Wafers?
O nitreto do gálio na safira é o material ideal para a amplificaço de rádio da energia. Oferece um número de benefícios sobre o silicone, incluindo uma tenso mais alta da diviso e um desempenho melhor em altas temperaturas.
GaN é um semicondutor direto binário do bandgap de III/V de uso geral em diodos luminescentes brilhantes desde os anos 90. O composto é um material muito duro que tenha uma estrutura de cristal do Wurtzite. Sua diferença de faixa larga do eV 3,4 tem-no recursos para propriedades especiais para aplicações
optoelectronic
dispositivos de alta potência
dispositivos de alta frequência
| 4-inch MG-lubrificou GaN/Sapphire Substrates | ||
| Artigo | GaN-T-C-P-C100 | |
| Dimensões | 100 ± 0.2mm | |
| Espessura/espessura STD | 4,5 μm do ± 0,5/ < 3=""> | |
| Orientaço | Plano de C (0001) fora do ngulo para o ° do ± 0,1 da Um-linha central 0,2 | |
| Plano da orientaço de GaN | (1-100) 0 ° do ± 0,2, ± 30 1 milímetro | |
| Tipo da conduço | P-tipo | |
| Resistividade (300K) | < 10=""> | |
| Concentraço de portador | > 1 x 1017 cm-3 (que lubrificam a concentraço de cm-3 do ≥ 5 x 1019 de p +GaN) | |
| Mobilidade | > 5 cm2/V·s | |
| *XRD FWHMs | (0002) < 300arcsec=""> | |
| Estrutura | ~ 0,5 p-GaN/~ do μm do μm p +GaN/~ 1,5 2,5 uGaN do uGaN/~ 25 nanômetro do μm buffer/430 safira do μm do ± 25 | |
| Orientaço da safira | Plano de C (0001) fora do ngulo para o ° do ± 0,1 da M-linha central 0,2 | |
| Plano da orientaço da safira | (11-20) 0 ° do ± 0,2, 30± 1 milímetro | |
| Sapphire Polish | Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP) | |
| Área útil | > 90% (borda e excluso macro dos defeitos) | |
| Pacote | Empacotado em uma sala de limpeza em uns recipientes: única caixa da bolacha (< 3="" PCS=""> | |
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa viso a manter um bom relacionamento da cooperaço com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
FAQ
Q: So você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens esto no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens no esto no estoque, ele é de acordo com a
quantidade.
Q: Você fornece amostras? so livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas no
pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado,
equilíbrio antes da expediço.
laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm
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