10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000pcs/Month
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Number modelo:JDCD01-001-001
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
Fornecedor do último login vezes:
No 2 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
10*10,5mm² Face C Substrato de cristal único de GaN no dopado tipo n Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentaço/laser
Formulários
Diodos de laser: LD violeta, LD azul e LD verde
Dispositivos eletrônicos de potência, Dispositivos eletrônicos de
alta frequência
Mais de 10 anos de experiência em tecnologia de fabricaço de wafer com substratos GaAs foram aplicados produço de substrato GaN.O substrato GaN tem uma orientaço de superfície controlada, livre de danos, muito plana (Rms < 0,2 nm) e superfícies de etapas atômicas controladas.A qualidade da superfície adequada para o crescimento epitaxial foi alcançada.
| 10 x 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes | ||||
| Item | GaN-FS-CU-S10 | GaN-FS-CN-S10 | GaN-FS-C-SI-S10 | Observações: |
| Dimensões | 10 x 10,5 mm2 | |||
| Grossura | 350 ±25 µm | |||
| Orientaço | Plano C (0001) fora do ngulo em direço ao eixo M 0,35 ±0,15° | |||
| Tipo de Conduço | tipo N | tipo N | Semi-isolante | |
| Resistividade (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| Arco | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Ga Rugosidade da Superfície da Face | < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) | |||
| N Rugosidade da Superfície da Face | 0,5 ~1,5 μm opço: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido) | |||
| Densidade de Deslocamento | De 1 x 105para 3 x 106cm-2(calculado por CL)* | |||
| Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 | |||
| Área Útil | > 90% (excluso de borda) | |||
| Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio | |||
*Padrões nacionais da China (GB/T32282-2015)
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboraço com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa viso manter um bom relacionamento de cooperaço com todos os nossos clientes por nossa boa reputaço.
Perguntas frequentes
Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em
estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias no estiverem em estoque, é
de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas no pagamos o
custo do frete.
Q: Quais so as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.
10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Inquiry Cart
0