GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial
Number modelo:JDWY03-001-024
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000pcs/Month
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
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Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP ~ 10Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN
As propriedades elétricas do GaN dopado com Mg do tipo p so investigadas através de medidas de efeito Hall em temperatura variável.Amostras com uma gama de concentrações de dopagem com Mg foram preparadas por deposiço química metalorgnica em fase de vapor.
Vários fenômenos so observados medida que a densidade do dopante aumenta para valores altos normalmente usados em aplicações de dispositivos: a profundidade de energia do aceitador efetivo diminui de 190 para 112 meV, a conduço de impurezas em baixa temperatura torna-se mais proeminente, a taxa de compensaço aumenta e o a mobilidade da banda de valência cai drasticamente.
| Substratos de GaN/safira dopados com Mg de 4 polegadas | ||
| Item | GaN-TCP-C100 | |
| Dimensões | 100 ± 0,2 mm | |
| Espessura/espessura STD | 4,5 ± 0,5 μm / < 3% | |
| Orientaço | Plano C (0001) fora do ngulo em direço ao eixo A 0,2 ± 0,1 ° | |
| Orientaço Plana de GaN | (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
| Tipo de Conduço | tipo P | |
| Resistividade (300K) | < 10 Ω·cm | |
| Concentraço de Portadores | > 1 x 1017cm-3(concentraço de dopagem de p+GaN ≥ 5 x 1019cm-3) | |
| Mobilidade | > 5 cm2/V·s | |
| * XRD FWHMs | (0002) < 300 segundos de arco, (10-12) < 400 segundos de arco | |
| Estrutura | ~ 0,5 μm p+GaN/~ 1,5 μm p-GaN /~ 2,5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN tampo/430 ± 25 μm safira | |
| Orientaço de Safira | Plano C (0001) fora do ngulo em direço ao eixo M 0,2 ± 0,1 ° | |
| Orientaço Plana de Safira | (11-20) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
| polonês safira | Lado único polido (SSP) / Lado duplo polido (DSP) | |
| Área Útil | > 90% (excluso de defeitos de borda e macro) | |
| Pacote | Embalado em uma sala limpa em recipientes: caixa de wafer única (< 3 PCS) ou cassete (≥ 3 PCS) | |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboraço com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa viso manter um bom relacionamento de cooperaço com todos os nossos clientes por nossa boa reputaço.
Perguntas frequentes
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Q: Quais so as suas condições de pagamento?
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