LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire
Number modelo:JDWY03-001-031
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000pcs/Month
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
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Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Plano C (0001) Off ngulo em direço ao eixo M 0,2 ± 0,1°
Wafer epitaxial GaN de LED azul de 4 polegadas em safira SSP
A utilizaço da radiaço azul na tecnologia LED oferece duas vantagens específicas – uma, consome menos energia, duas, é mais eficiente em termos de produço de luz.Por exemplo, de 2014 a 2018, com o avanço do fósforo, a eficiência dos LEDs azuis aumentou de 130-140 lm/W para 200-210 lm/W.
Outro grande problema na produço de LEDs azuis foi a dificuldade em
dopar o GaN com preciso.No final da década de 1980, Amano e Akasaki
descobriram que, quando o GaN era dopado com átomos de zinco, ele
emitia mais luz e, portanto, proporcionava uma melhor dopagem.Esse
fenômeno foi posteriormente explicado em um artigo de Nakamura.
| Wafer de LED azul/verde de GaN sobre safira de 4 polegadas | ||||
Substrato | Tipo | Safira Plana | ||
| polonês | Lado único polido (SSP) / Lado duplo polido (DSP) | |||
| Dimenso | 100 ± 0,2 mm | |||
| Orientaço | Plano C (0001) fora do ngulo em direço ao eixo M 0,2 ± 0,1° | |||
| Grossura | 650 ± 25 μm | |||
Epicamada | Estrutura | 0,2μm pGaN/0,5μm MQWs/2,5μm nGaN/2,0μm uGaN | ||
| Grossura | 5,5 ± 0,5 μm | |||
| Rugosidade (Ra) | <0,5 nm | |||
| Densidade de deslocamento | < 5 × 108cm-2 | |||
| Comprimento de onda | LED azul | LED verde | ||
| 465 ± 10 nm | 525 ± 10 nm | |||
| FWHMs de comprimento de onda | < 25 nm | < 40 nm | ||
| Desempenho do chip | Tenso de corte @ 1μA | 2,3-2,5V | 2,2-2,4V | |
| Área Útil | > 90% (excluso de defeitos de borda e macro) | |||
Pacote | Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de wafer | |||
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboraço com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa viso manter um bom relacionamento de cooperaço com todos os nossos clientes por nossa boa reputaço.
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LED azul de 4 polegadas GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire
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