5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal
Number modelo:JDCD01-001-018
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000pcs/Month
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
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Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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5*10mm2Face SP (20-21)/(20-2-1) Tipo SI no dopado Substrato monocristal de GaN independente Resistividade > 106Wafer de dispositivos de RF de Ω·cm
Viso geral
Diferentes tipos de redes adversárias generativas (GANs)
DC GAN – É um GAN convolucional profundo....
GAN condicional e GAN incondicional (CGAN) – GAN condicional é uma
rede neural de aprendizado profundo na qual alguns parmetros
adicionais so usados.
| (20-21)/(20-2-1) face Free-standeung GaN Substrates | ||||
| Item | GaN-FS-SP-US | GaN-FS-SP-NS | GaN-FS-SP-SI-S | Observações: Um ngulo de arco circular (R < 2 mm) é usado para distinguir a superfície frontal e posterior. |
| Dimensões | 5 x 10 mm2 | |||
| Grossura | 350 ±25 µm | |||
| Orientaço | (20-21)/(20-2- 1) plano fora do ngulo em direço ao eixo A 0 ±0,5° (20-21)/(20-2- 1) plano fora do ngulo em direço ao eixo C - 1 ±0,2° | |||
| Tipo de Conduço | tipo N | tipo N | Semi-isolante | |
| Resistividade (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| ARCO | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Rugosidade da Superfície Frontal | < 0,2 nm (polido)； ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) | |||
| Rugosidade da Superfície Traseira | 0,5 ~1,5 μm opço: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido) | |||
| Densidade de Deslocamento | De 1 x 105para 3 x 106cm-2 | |||
| Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 | |||
| Área Útil | > 90% (excluso de borda) | |||
| Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em contêiner de 6 PCS, sob uma atmosfera de nitrogênio | |||
Apêndice: O diagrama do ngulo de corte incorreto
Se δ1= 0 ±0,5°, ento (20-21)/(20-2- 1) plano fora do ngulo em direço ao eixo A é 0 ±0,5°.
Se δ2= - 1 ±0,2°, ento (20-21)/(20-2- 1) plano fora do ngulo em direço ao eixo C é - 1 ±0,2°.
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboraço com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa viso manter um bom relacionamento de cooperaço com todos os nossos clientes por nossa boa reputaço.
Perguntas frequentes
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas no pagamos o
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Q: Quais so as suas condições de pagamento?
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